“尽管开口？”梁孟松似笑非笑：“你在中芯有多少股权？”
“这个问题你不必担心，我有第一大股东上海国资的支持，管理层同样支持我，中芯也需要引资才能投入研发，中芯想出手的股东更是多得很，我手里有钱就等于有股份。如果控制权我都拿不到，那我还和你谈什么。”
陈学兵端得信心满满，控制权是他最先解决的事，他手里的3G产业基金愿意入股，大多股东和所有管理层也支持他入股，现在唯一有争论的就是3G产业基金具体占多大份额，他个人又占多大的份额，增资扩股多少，买多少老股的问题而已。
增资入股的钱可以直接用于公司，而买老股则可以清退一些不支持全力研发的股东，各有好处。
这件事目前没有急着定论，其实也跟梁孟松有关系。
陈学兵得先知道中芯未来研发缺多少钱，才能决定如何入股。
“好吧。”梁孟松脸色郑重起来，说道：“我报出预算，希望不要吓到你。”
陈学兵抱手昂了昂下巴，愿闻其详。
“15亿美元。”
梁孟松报出数字，俩人沉默了一阵。
都在等对方的下文。
“没了？”陈学兵问道，而后补充了一句：“没什么...禁运设备之类的要求？”
“禁运？”梁孟松皱了皱眉，而后恍然，“哦，那挺多的，你们得出高价买，15亿...应该也够了，我报价里面有一些预备金。”
陈学兵很想问一句：你确定高价就买得到？
可又不想打击对方的信心。
15亿...着实不少，但对这个目标来说，并不多。
FinFET可是20nm以下的工艺，等梁孟松开始研发这个，他早就有15亿美元了，遂也不慌，问道：
“如果你下个月入职中芯，多久能开始FinFET研发？”
“立马开始。”
梁孟松四个字，陈学兵眼睛都瞪大了。
“我说的不是预研那种没方向的，是正式研发。”
“对，全力研发。”梁孟松郑重其事道：“如果你保证资金到位，我给你拟一个60个月的计划表，48个月之内，跳过22nm，跳过16nm，直接追14nm，良率达到量产。”
陈学兵内心惊呼我草。
60个月，五年，2012年，年底。
他敢说14nm量产。
老子现在还在为了65nm产能发愁，下面可还有45nm，28nm，20nm，三代完整节点。
跨四代？？
不，对中芯来说，是跨五代才对，他们65nm还没达到量产呢。
“没...可能吧？这东西不需要逐步迭代？”
梁孟松看着陈学兵眼底的震惊，终于有了一丝笑容：“可能不可能，要看怎么干，你想的是按常规路径一步步爬，但我要走的是技术嫁接和资源倾斜的捷径。”
他说着拿起桌上的参茶杯，指着杯沿的釉色纹路：“就像这杯子，常规做法是拉胚、上釉、烧制一步步来，但要赶时间，就能用现成的胎体，只优化关键的釉料配方和烧制温度。”
这话讲得模棱两可，陈学兵却听懂了，梁孟松的意思是先按照台积电的老路前进，不绕任何弯路，到达FinFET之前便开始超车。
这件事，他相信梁孟松做得到。
前世台积电状告梁孟松利用台积电技术帮三星制程进步，但苦于没找到证据，在答辩时台积电律师这么说：
“梁孟松不需要在三星‘抄’台积电的图纸，直接用既往技术，他只需要在三星研发时，指着某条路说：这条路我们在台积电试过，走不通，别浪费钱和时间。这样就已经构成对台积电商业秘密的实质性利用，足以造成巨大损害。”
那是三星唯一一次以14nm制程超越了台积电的16nm，并且抢下了苹果的芯片订单。
不过，他问的不是这个。
“我是说，不需要等...专用光刻机和材料进步什么的？EDA也爬不了这么快吧？”
你有想法，也没配套啊！
梁孟松却道：“专用设备和材料不是等出来的，是抢出来、凑出来、优化出来的，是把现有牌组重新排列组合的本事。”
陈学兵眉心微动：“你是说，可以直接用现有工艺做FinFET的基础验证？”
“不是不用等，是边做边补。”梁孟松放下茶杯，眼神锐利如刀，“45nm是跳板，我会先把HKMG工艺吃透，用它验证FinFET的核心结构——鳍部蚀刻、栅极包裹、衬底隔离，这些关键技术和节点没有绝对绑定，只要设备精度够，就能在45nm平台上做缩小比例的原型试验。等原型跑通了，28nm的多重曝光技术正好跟上，用来解决FinFET的图形化难题；至于 20nm，本来就是过渡节点，为什么要浪费时间？”
他顿了顿，补充道：“你担心的专用设备，ASML目前的XT1900i通过双重曝光能把线宽压到28nm以下，只要解决套刻精度问题，就能满足14nmFinFET的光刻需求，我在台积电主导65nm时，就用193nm光刻机做过类似尝试，良率能从30%提到70%，现在的设备比当时更先进，没理由做不到。”
“材料是花钱能解决的问题，那就不是问题。我在台积电的老部下里，有专门做材料适配的团队，只要你肯出溢价，他们能通过IME的渠道拿到样品，量产之前用不了多大的量，而且三星的32nm材料供应链可以借鉴，看你能不能拿到。”
梁孟松实在耿直，几句话便把路径给说完了。
他语速太快，像那种尖子班的数学老师，理所当然地觉得每个人都该听得懂一般，根本不给陈学兵消化的间隙，搞得陈学兵全力以赴也没太听明白。
陈学兵只能感叹：梁孟松，神人也。
只是随口而出，就把每一个节点的突破点都说到了，甚至包括目前全世界都没有突破的节点。
具体有多神？
就他刚才随口说到的一个点，“65nm良率从30%提升到70%”，是整个中芯国际干了大半年都没有实现的。
没理由做不到？
中芯国际全体科研人员听了都要吐血三升。
在梁眼里，追制程可能就没有困难，每个节点的突破如探囊取物一般。
说说不算牛逼，关键是人家真的能做。
但随即，陈学兵脑子里瞬间出现了一连串疑问。
“既然你这么笃定FinFET可行，又认为五年就能突破到量产，为什么不说服台积电选你的路？台积电不可能一点紧迫感都没有吧？”
“因为不划算。”梁孟松抱起手，缓缓说道：
“胡正明2001年就担任台积电第一任CTO，带来了FinFET的想法，但这需要全新设备、全新工艺、全新设计规则，投资是平面工艺的2-3倍，所以直到他2004年离任，台积电仍坚持以平面MOSFET为主，并且和ASML联合开发出了浸没式光刻机，算是走通了平面迭代的路。
“张忠谋的风格是稳健第一，不赌激进路线，新上任的蔡力行也主张成本绩效为先，所以他们更倾向渐进式迭代，对FinFET持谨慎观望态度，FinFET课题在台积电一直存在，但要到20nm以下才是真正需求，所以没有必要上得太早。”
陈学兵还是不理解：“渐进式迭代，台积电难道不慌，不想争第一？”
“纸面第一有什么意义？”梁孟松笑道：“对他们来说，渐进式推进才是最赚钱的，甚至一代可以拆成两代，就像45nm和40nm，32nm和28nm，真正的尺寸差只有一点点，前面短命过渡的制程可以高价卖给急需迭代的大客户先用，真正成熟主力优化了漏电、速度、良率，然后对外宣称新一代、更先进、更便宜，客户一听“新一代”，就得重新买IP，重新流片，重新投光罩，台积电就多赚一轮大钱，他们已经是第一了，没有必要以最快的速度迭代，消耗未来赚钱的潜力。”
陈学兵通达了。
主流节点应该以上一代尺寸×0.707来进步，因为计算面积时，0.707*0.707≈0.5，即晶体管面积缩小一半。
那么，90nm×0.7≈63nm，标注65nm。