忙碌了大半年的洛川，也难得放了个小长假。
每天窝在家里，不是打游戏，就是打扑克，沉迷于柰白的雪子，以及黑丝白丝蕾丝小腿袜中无法自拔。
然而，没快活几天，两则突如其来的消息，便让他被迫脱离温柔乡。
好消息。
骄阳300流片成功。
坏消息。
中芯国际向ASML订购EUV光刻机，意料之中的受到了限制。
当前，中芯国际采用的设备，为DUV光刻机。
这两种光刻机的区别在于，DUV光刻机，使用193nm波长的深紫外线光源，结合浸没式技术和多重曝光工艺，实现更小线宽。
理论上，无法直接刻蚀20nm以下的线条，必须通过双重甚至四重曝光技术，分步完成。
而每多一次曝光，就会增加30%的缺陷率风险。
更先进的EUV光刻机，则使用13.5nm波长的极紫外线光源。
单次曝光，就能实现更精细的图案，是生产7nm及以下更先进制程的关键。
而如今，中芯国际EUV光刻机进口受限。
这意味着，原本极佳的追赶势头，再次被不可抗力强行按下，并且陷入了一种进退维谷的境况。
中芯原打算，趁着28nm工艺，良率实现突破，乘胜追击研发20nm工艺，以承接台积电20nm客户。
但由于其FinFET技术储备不足，高K金属栅极材料、3D堆叠封装等关键技术，仍处于实验室验证阶段。
缺乏EUV设备的支持，这些技术难以转化为量产能力，研发难度呈几何倍数上升。
当前，台积电已实现20nm FinFET工艺量产，16nm工艺，也已进入验证阶段。
隔壁的三星，决策更为激进，选择跳过20nm，直接研发14nm FinFET，预计年底实现试产。
并且，两者已明确表示，将资源转向14nm EUV工艺。
这也使得，中芯若继续孤注一掷，研发20nm DUV工艺，大概率会陷入“投入越多，差距越大”的恶性循环。
中芯内部，此刻也是一片愁云惨淡，管理层更是吵作一团。
一方建议，继续推进20nm DUV多重曝光工艺，避免技术断层。
另一方则建议，将20nm研发资源，转向28nm成熟制程的优化。
通过扩大产能、提升良率，争夺汽车电子、物联网等，对制程要求较低的市场。
本质上，这是激进派与保守派，长期突围与短期生存的冲突。
前世，中芯便选择了后者。
这一转向，虽避免了更大损失，却也使得国内半导体，在先进制程领域，与国际先进水平的差距，从3年拉大至五年以上。
而这，也是洛川不想看到的。
他投入了那么多资源和精力，又是联合研发，又是投喂订单，还为对方打造了仿真模型，无限量供应高性能算力。
好不容易将中芯与国际先进水平的差距，缩短至两年以内。
如今再让他眼睁睁看着，中芯缩回舒适区，那特么不是白忙活了~
更糟糕的是，当初为了扶持中芯，星光和台积电的关系，闹得不是很融洽。
虽说双方仍保持着基础的代工合作，还有三星那边作为产能补充，但总归存在一定的断供风险。
若是中芯现在缩回去，星光和极光付出的那些资源和精力，将瞬间从“生态投资”，变为“沉没成本”。
这是洛川绝对无法接受的！