身为“过来人”，洛川清楚的知道，14~18年，是国内半导体产业，追赶国际先进水平绝佳窗口期！
技术层面。
当前EUV技术，尚未完全成熟，全球半导体，仍处于“DUV向EUV过渡”的阶段。
若中芯能坚持研发先进制程，在极光和星光的辅助下，完全有机会在15/16年前后，掌握“类FinFET”技术，稳住与三星、台积电的技术代差。
虽说，由于EUV光刻机的缺失，在14nm以下的制程，仍不可避免会被拉开差距。
但那至少也是四五年以后的事情了。
届时，中芯应该也已积累了，足够的“DUV多重曝光”关键技术。
如高精度对准系统、高K金属栅极沉积工艺等等。
只要技术不断代，持续稳步推进，中芯完全可基于14nm改良的N+1、N+2工艺，采用多重曝光技术，以及应力工程和数据互联优化，通过DUV实现，与台积电N7工艺接近的能效比。
虽说成本必然会高出不少，但最起码已经能用了。
剩下的，就等国内半导体产业集体突围，实现国产替代就完了~
市场层面。
当前，国内4G手机普及，带动芯片需求爆发。
星光每年数以千万计的芯片代工需求，加之华威的部分芯片代工业务，足以让中芯形成“订单-研发-良率提升”的正向循环。
政策层面。
虽国内尚未出台，大规模半导体扶持政策，但市场对“国产芯片”的关注度，随着昆仑芯片与麒麟芯片的成功，呈现明显上升趋势。
若中芯能在此时，展现出先进制程突破的潜力，更容易获得后续政策支持。
而一旦中芯选择，退守28nm成熟制程，以上这些都是空谈。
且等到18年，EUV技术成熟，三星、台积电进入7nm时代。
先进制程的技术壁垒，会呈指数级提升。
届时再想突破，需要的投入，将是现在的10倍以上！
更糟糕的是，这个时间节点，刚好是两边科技战打响的关键时间点。
若是没有国产替代，星光随时可能面临断供的风险。
也因此，中芯国际必须顶住！
甚至还要更加激进！
如20nm这种，过渡性且性价比不高的节点，完全可以直接跳过。
转攻难度更高，但收益也更大的14nm FinFET工艺。
原因有二。
其一，20nm工艺，跟28nm一样，仍使用平面晶体管。
为缩微尺寸，付出了性能与功耗控制的代价，但提升却并不显著。
属于标准的“性价比洼地”，也是后世公认的“过渡性陷阱”。
而14nm FinFET工艺，通过三维立体结构，可更好的控制沟道，显著降低漏电流，从而在性能提升的同时，大幅降低功耗。
属于公认的“代际分水岭”。
并且，14nm FinFET工艺，是后续7nm、5nm先进制程的“技术母版”。
掌握14nm，即可积累FinFET结构设计、高K金属栅极沉积、3D堆叠封装等核心技术。
后世，梁猛松博士，加盟中芯后，便选择了快速攻关14nm FinFET。
并以此为基础，衍生出N+1、N+2等后续工艺。
其二，身为“过来人”，洛川从最开始就知道，中芯20nm工艺研发计划，大概率会破产，但他当时也没多说什么。
虽然双方达成了战略合作关系，但也就仅此而已。