早在16年，昆仑400落地后不久，极光和星光，便推动中芯，基于星光下一代旗舰芯片，昆仑500，启动了N+1工艺的研发工作。
直接跳过10nm，对标台积电7nm制程！
17年下半年，梁猛松教授带队加盟中芯国际，华威海思团队，也加入了联合研发小组，大幅加快了研发进展。
时至今日，团队终于完成流片！
用时仅一鲲年！
对比而言，台积电用了3年。
三星更是用了5年！
这背后，全面适配中芯工艺的“极光EDA”，以及极光云提供的高性能算力，起到了至关重要的加速作用。
更为喜人的是，流片测试报告显示，中芯N+1工艺的多项核心工艺指标，皆比洛川预想中出色不少。
中芯第三代FinFET工艺，代号“N+1”，等效台积电7nm工艺。
这里的“等效”，指的是“等效性能”，而非严格意义上的相同制程。
没办法。
中芯拿不到EUV光刻机，只能在14nm FinFET基础上，依靠DUV多重曝光技术，实现制程微缩。
其所运用的核心技术为，“ASQP四重曝光技术”。
简单来说，就是通过四次DUV曝光和蚀刻，将鳍片间距从14nm的48nm，压缩至24nm！
栅极间距优化至42nm！
最终图形密度，达到原始光刻的4倍！
分辨率也从原始的28nm级，提升至7nm级！
再结合鳍片高度、栅极材质与堆叠结构的协同优化，中芯N+1工艺的晶体管密度，提升至惊人的108MTr/mm²！
优于台积电初代N7工艺的96~100MTr/mm²！
稍逊于台积电最新的N7+工艺，与三星7LPP工艺大致相当！
性能方面，中芯N+1工艺，较前代14nm FinFET Pro工艺，提升28%！
同性能下，功耗降低57%！
虽与台积电N7+工艺相比，仍有10%左右的性能差距，但却已完全不逊色于三星7LPP工艺！
甚至在能效比方面还略胜一筹！
至于其他几项核心参数，如SRAM单元尺寸、RC延迟、关键路径信号传输速度等等，中芯N+1工艺也表现得非常出色。
当然，问题也不是没有。
最核心的难点，便在于良率和产能。
从14nm到7nm的“制程跳跃”，导致中芯N+1工艺，初始良率仅有30%左右。
远低于三星和台积电，85%~95%区间的良率。
并且，由于多重曝光技术，使掩膜板数量增加4倍，光刻步骤增加3倍，成本上升50%！
即便中芯摆脱了对EUV设备依赖，设备投入比台积电7nm EUV工艺，降低60%，单片制造成本降低30%。
但依旧难以覆盖，良率爬坡期的废品损耗成本，以及掩膜版制造成本的大幅提升。
不过也无所刁谓就是了~
还是那句话——有没有才是最重要的！
只要实现了技术突破，后面的事儿，闭着眼睛莽就完了~
值得一提的是，随着中芯此次技术大跃进，参与联合研发的一众上游设备材料商，也同样取得了不菲的成果。
比如刻蚀设备。
中微半导体的14nm刻蚀机，已经完成N+1工艺验证。
刻蚀进度达2nm级，性能达国际同类产品90%！