此外，“N14”的芯片面积，较28nm减少50%，但性能却提升了40%！
且功耗降低60%！
整体性能表现，与三星14nm LPE基本持平！
如最小金属间距等指标，甚至略微占优！
但与三星14nm LPP版本相比，性能和功耗，仍落后15%。
与台积电相比，差距那就更大了。
主要还是因为，三星和台积电，已经开始尝试EUV光刻机。
而中芯N14，依赖DUV多重曝光，在精细度方面，存在先天差距。
另一方面，三星和台积电，已经进行了1年多的优化迭代。
而中芯是首次突破14nm，后续仍需通过量产，积累工艺微调经验。
总之，整体而言，与国际先进水平相比，中芯N14仍落后1~2年。
但这都无所谓~
重点是——国内也能造出14nm芯片了！
这是大陆半导体产业，首次在线上制程工艺上，与国际第一梯队齐平！
实现了“从0到1”的突破！
更重要的是，中芯国际的率先突围，将有效带动，国内半导体产业链的协同升级！
上游倒逼EDA工具、光刻胶、靶材等配套企业，加速技术迭代，以适配14nm工艺需求。
中游，中芯N14量产，将吸引更多国内芯片设计公司合作，提升国内芯片设计产业的整体竞争力！
下游的终端品牌，如手机、汽车、消费电子等等，可获得稳定的国产高端芯片供应，降低采购成本，提升产品性价比。
虽说，由于EUV光刻机的缺失，在14nm以下的制程，中芯仍不可避免会被拉开差距。
但那也是两三年之后的事情了。
届时，中芯应该也已掌握，足够多的“DUV多重曝光”关键技术。
如高精度对准系统、搞K金属栅极沉积工艺等等。
只要技术不断迭代，在极光和星光的赋能下，中芯完全可采用多重曝光技术，通过DUV光刻机，基于14nm改良N+1、N+2工艺，达到与台积电N7工艺相近的能效比！
虽然成本会高出不少，但只要有就够了！
剩下的，只需耐心等待，国内半导体产业集体突围，实现国产替代即可~
值得一提的是，同样参与联合研发的一众上游设备材料商，也取得了不少喜人成果。
比如中微公司，已完成14nm刻蚀机验证，预计明年即可进入中芯国际产线。
这一点，倒是没什么好意外的。
前世，中微的5nm刻蚀设备，便于20年，进入了台积电先进制程产线。
北方华创，已完成金属刻蚀机验证，同样预计明年进入产线。
屹唐半导体的ICP刻蚀机，暂时尚处于最后攻关阶段，预计明年进行验证，18年进入产线。
虽说，相较于国际先进水平，仍有着2~3年差距。
但相较于前世，已经算是大大提速了~
提到国产半导体设备落后，大家伙儿通常会认为，是国产人才实力不如老外。
这一点，暂且不予置否。
但很多人都忽略了一点。
设备研发，有一个很重要的环节，那便是产线实战验证。
研发出的设备，得有机会在真实量产场景中反复打磨、发现隐藏缺陷、优化稳定性与兼容性，才能完成从样机到成熟产品的迭代。
而国产半导体设备，常年处于被国际主流代工厂排挤，缺乏核心验证场景的困境。
这种无形的封锁，同样极为致命。
这也是为何，阿美开始整活儿之后，国产半导体设备，会呈现集群式爆发突破的态势。
因为他们终于有机会上桌了~