格罗方德版本56279分。
联华电子55428分。
让人出乎意料的是，星源科技的性能跑分最高，比湾积电高了6%。
在功耗方面，星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。
在持续高强度运行一小时后，星源科技生产的芯片功耗稳定在4.4瓦左右，机身温度为39摄氏度。
湾积电的芯片功耗则在5.2W左右，温度达到了 43摄氏度。
格罗方德和联华电子的芯片功耗更高，分别为5.6W和5.8W，机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。
看完测试视频的网友一脸茫然！
同一款处理器，差异有点大！
他们本以为星源科技刚成立没多久，工艺应该不成熟才对。
万万没想到，工艺水平最高的竟是星源科技！
这...不科学啊！
梁劲松见时机成熟，跟着发了一条图文格式的动态。
“星源科技在制造天工 A100T处理器时，采用了一种全新的晶体管结构，内部命名为Hybrid FinFET on Bulk架构，简称HFOB结构。
我们在不显著牺牲成本和良率的前提下，通过引入部分FinFET和Soi技术的优点，打造一个性能、功耗、密度全面超越传统28nm HKMG Planar技术的混合工艺，即混合体硅鳍式场效应晶体管架构。
对关键逻辑路径，如CPU、GPU核心，以及高漏电单元使用FinFET结构，这能极好地控制漏电流现象，允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低，从而实现巨大的功耗优势。
对RF器件、IO器件、和非关键逻辑仍使用改良版本的Planar HKMG技术，不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本，还保留了模拟器件在Planar结构下的优秀性能。”
梁劲松见洋洋洒洒写了一大堆，看得网友眉头直皱。
“每一字都认识，但连在一起，却不知道是什么意思。”
“元芳呢？你怎么看？”
“回禀大人，在下只懂拳脚，不懂微电子工程技术。”
“作为一名在半导体行业深耕十年的研发人员，坦白说，我也只能看懂一部分，浅浅解读一下梁总的意思：
这款28nm HFOB架构方案的设计很大胆，它通过将部分更先进节点工艺，可能是20纳米或16纳米的FinFET技术下移到28纳米的平台中，进而创造出一个在性能、功耗和密度上全面超越经典28nm HKMG的‘超级28nm’工艺。
说得简单点，相当于把百年陈酿，兑入了今年的新酒里，看上去没啥变化，性能却提升了一大截。”
一名懂行的网友跳出来解释道。
没办法，梁劲松的表达虽然逻辑清晰、井井有条，但他塞了一堆专业名词和术语，99%的网友压根看不懂，跟瞅天书似的。
“卧槽！前面没看懂，最后一句懂了！”
“合着星源这是玩了波‘降维打击’？用更高级的技术做28纳米芯片，难怪能比湾积电还强！”
“之前还觉得W4编码是‘倒霉蛋’，现在看手里的曜橙 X2 Plus，突然觉得血赚啊！”
“+ 1！刚查了我的橙子 C4S也是W4，赶紧跑了把游戏试了试，果然比朋友的W1版更流畅，发热也没那么明显！”
“哪个王八羔子，故意黑星源科技？”
“大概率是湾积电的人，生怕星源科技抢了他们的代工生意。”
网友的怒气来得快，去得更快。
从“质疑”，变成了“真香”认可！
评论区风向彻底反转，原本喊着“退款”的网友纷纷晒出自己的测试体验。
星源科技用实打实的数据，给同行们做了一次标准的示范——量产不是目的，拿出比国际巨头更优秀的制造工艺，才是国产芯片真正的底气。
相同产品，性能更优！
一瞬间，热度彻底爆了！
“骁龙810烫到降频？天工 A100T处理器，吊打骁龙全系列。”
“进口更好？不，也有可能更烂！”
“陈延森用了100亿、6个月时间、千人团队，一举超过湾积电。”
“华国芯片崛起！”
国产28纳米工艺量产的话题热度持续攀升。
各大媒体纷纷聚焦星源科技，深挖背后的技术底蕴与发展历程。
梁劲松趁热打铁，在第二天宣布，将在6月20日召开技术发布会，向外界详细介绍了HFOB架构的技术优势及项目的未来规划。
但很多人心里都清楚，星源科技与湾积电、山星之间，依旧存在两三代的技术差距。
而湾积电要为苹果代工20纳米制程的A8芯片，也几乎是人尽皆知的事实。
但不管怎么说，28纳米制程工艺，放在2014年，都算得上是最顶尖的芯片生产工艺之一。
市面上超过90%的处理器、闪存芯片和存储芯片，采用的都是28纳米或者更落后的工艺制程。
如今，唯一限制星源科技产能的便是——光刻机！