最终于今年年初，成功将良率提升至60%，实现量产突破！
相较于前世，整整提前了一年半！
而昆仑600，便是中芯N+2工艺，首款商用级量产移动芯片！
至于核心性能参数，在工艺制程，落后高通骁龙8+Gen1、苹果A15等旗舰芯片一代半的情况下，昆仑600自然占不到什么便宜。
但这也不重要就是了。
正如此前所言，7nm工艺芯片，已经足以充分满足，消费者日常高频使用的社交、视频、游戏等场景。
5nm/4nm制程，所带来的额外峰值性能，在绝大多数场景下，难以转化为可感知的体验提升。
更何况，各家友商采购的高通、联发科等厂商的通用芯片，为兼容数十个品牌的硬件配置与系统生态，通常会被迫预留大量冗余模块，导致芯片能效比受损。
以骁龙8+Gen1为例。
其日常刷视频的功耗，比理论值高35%，约30%的性能，始终处于闲置状态，反而加剧了发热问题。
当然，这也跟友商们的调校能力不足有关。
反观昆仑芯片，从设计之初，就与极光OS、影像模组、续航管理等系统深度协同。
砍掉了90%的冗余适配模块，将晶体管资源，集中于高频场景，进而将N+2工艺的潜力，发挥到极致。
这使得极光O4，在芯片制程落后的情况下，日均续航反而比搭载骁龙8+Gen1的竞品，高出15%~20%！
游戏帧率稳定性，提升20%~30%!
这种“定制化协同”，才是友商难以复制的核心竞争力~
星光之所以推动中芯国际，持续攻关先进制程，更多其实是为了极光的骄阳算力卡。
不同于手机芯片，已经出现性能溢出，对于算力卡而言，晶体管密度，直接决定了算力密度。
每一次制程升级，都是算力的跃迁。
哪怕骄阳指令集和骄阳架构，能够通过极致的并行计算优化、异构算力调度，榨出同制程芯片，35%以上的额外算力潜力。
也仍无法完全绕开，“制程是算力密度天花板”的物理定律。
好在，“骄阳超节点”与“极光万卡集群”，已经全面投入运营，表现颇为惊艳。
综合算力规模、任务调度效率、能耗比与大模型训练速度等核心指标，丝毫不逊于，基于英伟达A100搭建的同类超算集群！
并且，在“骄阳Q1”TPU的加持下，极光还有着极为显著的成本与能耗优势~
单卡算力的落后，对他们的影响十分有限~
说白了，无论是AI大模型训练、智驾仿真测试，还是元宇宙数字孪生构建，其算力需求都呈现“超大规模、高并发、长时间”等特征。
单卡算力再强，也注定无法满足需求。
换言之，集群的互联效率、调度能力、容错性，比单卡算力更重要。
而这也正是极光最为擅长~
值得一提的是，在20年Q1，中芯N+2工艺，完成风险流片后，联合研发小组，便已在此基础上，启动了N+3工艺的研发，重点提升晶体管密度与能效比。
并于今年第二季度，成功完成首轮流片！
性能方面，N+3较前代工艺，提升30%+！
功耗降低25%！
等效台积电5.5nm！
按照当前的研发进度，预计明年Q1，良率即可满足商业化量产。
届时，新一代昆仑芯片、骄阳算力卡、骄阳TPU，也都将随之同步出炉~
不过N+3工艺，也就是极限了。
没办法。
单次DUV光刻分辨率约38nm，多重曝光技术，理论极限约5nm。
4nm及以下节点，掩膜成本将高达N+3工艺的2~3倍，且良率难以突破60%。
综合成本，将超EUV方案两倍，彻底失去商业竞争力。
也因此，在N+3工艺突破后，联合研发小组，不再继续追求5nm以下节点。
而是选择通过工艺优化，提升N+2/N+3的性能与功耗表现，以成本优势，快速抢占市场份额。
同步推进先进封装、Chiplet技术等，“非摩尔定律”路线的研发，以“先进制程打磨+封装创新”的双轮驱动，构建差异化竞争壁垒。
比如“Chiplet异构集成”技术。
即：将不同制程、不同功能的芯片，通过高速互联技术，封装在一起，形成一块“超级芯片”。
以骄阳500为例。
其单卡算力约286TFLOPS。
若是将4颗骄阳500的计算裸片，通过Chiplet技术集成，单卡算力将突破1PFLOPS！
达到英伟达最新旗舰，H100的水平！
且成本仅为后者的50%！
又比如“硅通孔3D封装技术”。
通过垂直堆叠，将芯片体积缩小40%，内存带宽提升至1TB/s！
该技术可让骄阳算力卡，适配车载智驾域控制器的狭小空间，解决“算力卡体积过大无法上车”的行业痛点！
说白了，其实就是通过“空间堆叠”，替代“制程微缩”，实现算力的跨越式提升。
当然，这并不是说，他们就彻底放弃先进制程了。
事实上，国产半导体产业联盟，自成立之初，核心任务之一，便是攻关EUV光刻机。
并且，他们也没把EUV光刻机，视为唯一路线。
还在同步布局，非硅基半导体材料、新型晶体管架构等前沿技术研发，构建“主流路线攻坚+前沿路线卡位”的双线战略。
国内有钱有人有市场，没必要把鸡蛋放在一个篮子里。
更没必要始终跟着老外的节奏，在他们的游戏规则里打转~
挥霍就完了~
至于极光O4的第二项核心突破，则是存储芯片。
早在20年9月份，大金毛就全面掐断了星光和华威，获取海外存储芯片的路径。
好在，两家早有准备，提前囤积了大量存储芯片，同步加速推动国产替代计划。
此前曾提到过，早在16年，极光便已将长江存储，拉入了“国产半导体产业联盟”，联合攻关存储芯片相关技术。
17年，华威也加入其中。
次年，在多方联合攻关下，长江存储便推出了国内首款，3D NAND闪存芯片！
实现零的突破！
更关键的是，他们还走出了一条，全新的技术路径——Xtacking技术！
简单来说，传统3D NAND，需将存储单元和CMOS外围控制电路，做在同一块晶圆上。
不仅容易出现层数增高后，信号延迟、散热不良等问题，相关工艺专利，还长期被三星、美光等巨头垄断。
而Xtacking技术，则创新性的采用了“分晶圆制造+精准键合”模式。
先在两片独立晶圆上，分别加工存储阵列和外围电路，再通过数十亿根纳米级金属互联通道，将两片晶圆，牢固键合为一个整体。
该技术彻底改变了传统3D NAND的制造逻辑！
不仅完美绕开了欧美巨头的专利壁垒，还带来了三项核心优势。
更高的存储密度！
更快的传输速度！
更凶残的技术迭代速度！